параметры транзистора в схеме с общей базой

максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
P_{и max}
P_{M max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak power dissipation

DE

• maximal zulässige Impulsverlustleistung

FR

• puissance dissipée de crête maximale

80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung

E. Maximum peak power dissipation

F. Puissance dissipée de crête maximale

^* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.

^** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.

Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
P_{и max}
P_{M max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak power dissipation

DE

• maximal zulässige Impulsverlustleistung

FR

• puissance dissipée de crête maximale

80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung

E. Maximum peak power dissipation

F. Puissance dissipée de crête maximale

^* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.

^** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.

Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
P_{и max}
P_{M max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak power dissipation

DE

• maximal zulässige Impulsverlustleistung

FR

• puissance dissipée de crête maximale

80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung

E. Maximum peak power dissipation

F. Puissance dissipée de crête maximale

^* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.

^** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.

Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C₂₂
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• output capacitance

DE

• Ausgangskapazität

FR

• capacité de sortie

выходная емкость оптоэлектронного переключателя
выходная емкость
С_вых
C_O
Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• выходная емкость

EN

• output capacitance

выходная емкость полевого транзистора
выходная емкость
Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C_22и
C_22ss
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• выходная емкость

EN

• output capacitance

DE

• Ausgangskapazität

FR

• capacité de sortie

выходная ёмкость
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• output capacitance

71. Выходная емкость оптоэлектронного переключателя

Выходная емкость

Output capacitance

С_вых

Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

28. Выходная емкость биполярного транзистора

D. Ausgangskapazität

E. Output capacitance

F. Capacité de sortie

С*₂₂

Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
P_{и max}
P_{M max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak power dissipation

DE

• maximal zulässige Impulsverlustleistung

FR

• puissance dissipée de crête maximale

максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность полевого транзистора
Мощность, рассеиваемая полевым транзистором в импульсе при заданных скважности и длительности импульсов.
Обозначение
P_иmax
P_Mmax
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

DE

• maximal zulässige Impulsverlustleistung

80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung

E. Maximum peak power dissipation

F. Puissance dissipée de crête maximale

^* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.

^** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.

Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
P_{и max}
P_{M max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak power dissipation

DE

• maximal zulässige Impulsverlustleistung

FR

• puissance dissipée de crête maximale

80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung

E. Maximum peak power dissipation

F. Puissance dissipée de crête maximale

^* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.

^** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.

Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
P_{и max}
P_{M max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak power dissipation

DE

• maximal zulässige Impulsverlustleistung

FR

• puissance dissipée de crête maximale

80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung

E. Maximum peak power dissipation

F. Puissance dissipée de crête maximale

^* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.

^** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.

Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа